. Мне через 30 мин сдавать ​

Задача расчета дифракционной картины так же, как и расчет интерференционной картины - это нахождение положения максимумов и минимумов интенсивности света. Математический решение этой задачи достаточно сложно. Мы с ним познакомимся позже. А теперь рассмотрим графоаналитический метод зон Френеля. Он основан на принципе Гюйгенса-Френеля, который имеет следующие три положения.

1. Любое точечный источник света S можно заменить эквивалентной ему системой вторичных источников, расположенных по произвольной замкнутой поверхности, охватывающей этот источник. Для удобства выбирают поверхность, которая совпадает с одной из волновых поверхностей. Тогда все вторичные источники будут иметь одинаковую фазу и будут когерентными.

2. Если вторичные источники выбраны на одной волновой поверхности, то интенсивность вторичного излучения одинаковых по площади участков одинакова.

3. Вторичное излучение рас в сторону внешней нормали к поверхности, то есть в сторону ее выпуклости. При этом с увеличением угла между нормалью и направлением излучения его интенсивность уменьшается (рис.3.12).

Расчет дифракционной картины по рассматриваемом метода основан на разбиении волновой поверхности (поверхности вторичных источников) на зоны Френеля так, чтобы излучение от соответствующих точек соседних зон приходило в точку наблюдения Р в противофазе, т.е. чтобы разность хода от них равнялась.

В этом случае соседние зоны будут друг друга ослаблять. Поэтому очевидно, когда в точку наблюдения придет излучения от парного количества зон Френеля будет минимальная интенсивность, если же от нечетной будет максимум (одна зона окажется компенсированной). Так, если между источником S и точкой наблюдения Р, которые находятся на расстоянии a + b = 2м посередине поставить непрозрачный эк-ран с отверстием радиусом 0,5 мм, то останется открытой только первая зона Френеля и интенсивность будет равна 1о, т.е. возрастет в 2 раза по сравнению с выражением (3.19).

Дальнейшее увеличение интенсивности (суммы ряда (3.19)) можно достичь, если поставить экран, который бы пропускал излучение только от четных или нечетных зон, т.е. через одну. Тогда излучения будут иметь одинаковую фазу и будут усиливать друг друга.

Еще больший рост суммы (3.19) можно достичь, если поменять знак в приложениях через один, т.е. изменить фазу излучения на противоположную через одну зону. Этого можно достичь, пропуская излучение от этих зон через оптическую среду с другим показателем преломления, чем от остальных зон. Можно подобрать такую толщину, чтобы оптическая разность хода составила половину длины волны. Тогда в точку наблюдения придут вторичные лучи от всех зон в одинаковой фазе и интенсивность еще больше вырастет.

Примесная проводимость полупроводников — электрическая проводимость, обусловленная наличием в полупроводнике донорных или акцепторных примесей.

Примесная проводимость, как правило, намного превышает собственную, и поэтому электрические свойства полупроводников определяются типом и количеством введенных в него легирующих примесей.

Собственная проводимость полупроводников обычно невелика, так как число свободных электронов, например, в германии при комнатной температуре порядка 3·1013 / см3. В то же время число атомов германия в 1 см3 ~ 1023. Проводимость полупроводников увеличивается с введением примесей, когда наряду с собственной проводимостью возникает дополнительная примесная проводимость.

Примесными центрами могут быть:

атомы или ионы химических элементов, внедренные в решетку полупроводника;

избыточные атомы или ионы, внедренные в междоузлия решетки;

различного рода другие дефекты и искажения в кристаллической решетке: пустые узлы, трещины, сдвиги, возникающие при деформациях кристаллов, и др.

Изменяя концентрацию примесей, можно значительно увеличивать число носителей зарядов того или иного знака и создавать полупроводники с преимущественной концентрацией либо отрицательно, либо положительно заряженных носителей.

Примеси можно разделить на донорные (отдающие) и акцепторные (принимающие).